大芯超導(dǎo)有限公司元器件分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC 碳化硅MOSFET模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊適合應(yīng)用于能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換，被廣泛應(yīng)用于新能源領(lǐng)域,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現(xiàn)直流升壓降壓轉(zhuǎn)換，高壓側(cè)接入PV直流側(cè)，低壓側(cè)接電池組。 LLC諧振變換器能實現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)開關(guān)管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關(guān)電源,其輸入輸出電壓調(diào)節(jié)范圍較寬,且具有率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點.與傳統(tǒng)Si基功率器件相比,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應(yīng)用時的不足,采用三相交錯并聯(lián)的LLC諧振變換器拓?fù)洳⑵渑cBASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊相結(jié)合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應(yīng)用于充電樁電源模塊，V2G電源模塊，電網(wǎng)儲能PCS，從調(diào)峰調(diào)頻到備電、價差套利，儲能將成為新型電力系統(tǒng)的穩(wěn)定器，雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業(yè)務(wù)發(fā)展。